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2N6387G

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: 2N6387G
Beschreibung: TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Active
Leistung - Max 2W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Transistortyp NPN - Darlington
Basis-Teilenummer 2N6387
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Vce Sättigung (Max.) 3V @ 100mA, 10A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 10A
Strom - Collector Cutoff (Max) 1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 1000 @ 5A, 3V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 60V

Auf Lager 39 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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