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PHE13009/DG,127

Hersteller: WeEn Semiconductors
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Datenblatt: PHE13009/DG,127
Beschreibung: TRANS NPN 400V 12A TO220AB
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller WeEn Semiconductors
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Serie -
Verpackung Tube
Teilstatus Active
Leistung - Max 80W
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Transistortyp NPN
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang -
Lieferanten-Gerätepaket TO-220AB
Vce Sättigung (Max.) 2V @ 1.6A, 8A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 12A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 8 @ 5A, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 400V

Auf Lager 1 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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