Image is for reference only , details as Specifications

PQMD10Z

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: PQMD10Z
Beschreibung: TRANS NPN/PNP RET 6DFN
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 230mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-XFDFN Exposed Pad
Transistortyp 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 2.2kOhms
Frequenz - Übergang 230MHz, 180MHz
Lieferanten-Gerätepaket DFN1010B-6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
Vce Sättigung (Max.) 100mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 10mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 57 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

RN1507(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
EMH1FHAT2R
ROHM Semiconductor
$0
EMH9FHAT2R
ROHM Semiconductor
$0
EMD9FHAT2R
ROHM Semiconductor
$0
DDA114YU-7-F
Diodes Incorporated
$0