Image is for reference only , details as Specifications

EMH9FHAT2R

Hersteller: ROHM Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Datenblatt: EMH9FHAT2R
Beschreibung: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ROHM Semiconductor
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Serie Automotive, AEC-Q101
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 150mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Transistortyp 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Widerstand - Basis (R1) 10kOhms
Frequenz - Übergang 250MHz
Lieferanten-Gerätepaket EMT6
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 47kOhms
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 68 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) -

Auf Lager 7890 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

EMD9FHAT2R
ROHM Semiconductor
$0
DDA114YU-7-F
Diodes Incorporated
$0
RN1907,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
RN2901FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
$0
Z0410NF 1AA2
STMicroelectronics
$0.31