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PMK35EP,518

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMK35EP,518
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 14.9A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±25V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 19mOhm @ 9.2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 6.9W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 42nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2100pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 14.9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 55 pcs

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