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BUK7880-55A,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BUK7880-55A,115
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 7A SOT-223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 80mOhm @ 10A, 10V
Verlustleistung (Max.) 8W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-223
Gate Charge (Qg) (Max.) 12nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 500pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

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