PDTD123YQAZ
Hersteller: | Nexperia USA Inc. |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Datenblatt: | PDTD123YQAZ |
Beschreibung: | TRANS PREBIAS NPN 3DFN |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | Nexperia USA Inc. |
Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 325mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 3-XDFN Exposed Pad |
Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Frequenz - Übergang | 210MHz |
Lieferanten-Gerätepaket | DFN1010D-3 |
Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 10 kOhms |
Vce Sättigung (Max.) | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 500mA |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 70 @ 50mA, 5V |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 73 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.05 | $0.05 | $0.05 |
Minimale: 1