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PDTD113EQAZ
| Hersteller: | Nexperia USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Datenblatt: | PDTD113EQAZ |
| Beschreibung: | TRANS PREBIAS NPN 3DFN |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Nexperia USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Teilstatus | Active |
| Leistung - Max | 325mW |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-XDFN Exposed Pad |
| Transistortyp | NPN - Pre-Biased |
| Widerstand - Basis (R1) | 1 kOhms |
| Frequenz - Übergang | 210MHz |
| Lieferanten-Gerätepaket | DFN1010D-3 |
| Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 1 kOhms |
| Vce Sättigung (Max.) | 100mV @ 2.5mA, 50mA |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 500mA |
| Strom - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 33 @ 50mA, 5V |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 61 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.05 | $0.05 | $0.05 |
Minimale: 1
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