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PBSS5112PAP,115

Hersteller: Nexperia USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt: PBSS5112PAP,115
Beschreibung: TRANS 2PNP 120V 1A 6HUSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Nexperia USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 510mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad
Transistortyp 2 PNP (Dual)
Basis-Teilenummer PBSS5112
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 100MHz
Lieferanten-Gerätepaket 6-HUSON-EP (2x2)
Vce Sättigung (Max.) 480mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 1A
Strom - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 50 @ 500mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 120V

Auf Lager 1425 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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