PEMD12,115
Hersteller: | Nexperia USA Inc. |
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Produktkategorie: | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Datenblatt: | PEMD12,115 |
Beschreibung: | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Nexperia USA Inc. |
Produktkategorie | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Serie | - |
Verpackung | Digi-Reel® |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 300mW |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
Transistortyp | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Widerstand - Basis (R1) | 47kOhms |
Frequenz - Übergang | - |
Lieferanten-Gerätepaket | SOT-666 |
Widerstand - Emitter-Basis (R2) | 47kOhms |
Vce Sättigung (Max.) | 150mV @ 500µA, 10mA |
Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 100mA |
Strom - Collector Cutoff (Max) | 1µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) | 80 @ 5mA, 5V |
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 50V |
Auf Lager 5255 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1