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SI2302DS,215

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SI2302DS,215
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 650mV @ 1mA
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 85mOhm @ 3.6A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 830mW (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket TO-236AB (SOT23)
Gate Charge (Qg) (Max.) 10nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 230pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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