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BSH205,215

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BSH205,215
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 0.75A SOT-23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±8V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 680mV @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 400mOhm @ 430mA, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 417mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TO-236AB (SOT23)
Gate Charge (Qg) (Max.) 3.8nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 200pF @ 9.6V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 750mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V

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