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PSMN8R0-30YL,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PSMN8R0-30YL,115
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 62A LFPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Cut Tape (CT)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-100, SOT-669
Vgs(th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8.3mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 56W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket LFPAK56, Power-SO8
Gate Charge (Qg) (Max.) 18.3nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1005pF @ 15V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 62A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 56 pcs

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