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PHT6N06LT,135

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PHT6N06LT,135
Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 2.5A SOT223
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±13V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-261-4, TO-261AA
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 150mOhm @ 5A, 5V
Verlustleistung (Max.) 1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket SOT-223
Gate Charge (Qg) (Max.) 4.5nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 330pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V

Auf Lager 56 pcs

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