PMV60EN,215
Hersteller: | NXP USA Inc. |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | PMV60EN,215 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | NXP USA Inc. |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 55mOhm @ 2A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 280mW (Tj) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-236AB (SOT23) |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 9.4nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 350pF @ 30V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 4.7A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 87 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1