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PMV60EN,215

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMV60EN,215
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 4.7A SOT-23
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 55mOhm @ 2A, 10V
Verlustleistung (Max.) 280mW (Tj)
Lieferanten-Gerätepaket TO-236AB (SOT23)
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 350pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.7A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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