Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

PHB101NQ04T,118

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PHB101NQ04T,118
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Digi-Reel®
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 8mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 157W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 36.6nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2020pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 80 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

PHB110NQ06LT,118
NXP USA Inc.
$0
PSMN005-55B,118
NXP USA Inc.
$0
BUK7506-75B,127
NXP USA Inc.
$0
PHB222NQ04LT,118
NXP USA Inc.
$0
ZXMN3A02N8TA
Diodes Incorporated
$0