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PHK4NQ10T,518

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PHK4NQ10T,518
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V SOT96-1
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 70mOhm @ 4A, 10V
Verlustleistung (Max.) 2.5W (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 22nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 880pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 83 pcs

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