PHK4NQ10T,518
Hersteller: | NXP USA Inc. |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | PHK4NQ10T,518 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V SOT96-1 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | NXP USA Inc. |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tape & Reel (TR) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Betriebstemperatur | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 70mOhm @ 4A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 2.5W (Ta) |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-SO |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 22nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 880pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Auf Lager 83 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1