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PHD98N03LT,118

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PHD98N03LT,118
Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5.9mOhm @ 25A, 10V
Verlustleistung (Max.) 111W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket DPAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 40nC @ 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 3000pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 75A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V

Auf Lager 98 pcs

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