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PHB11N06LT,118
| Hersteller: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | PHB11N06LT,118 |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 55V 10.3A D2PAK |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | TrenchMOS™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | ±15V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Obsolete |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 130mOhm @ 5.5A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 33W (Tc) |
| Lieferanten-Gerätepaket | D2PAK |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 5.2nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 330pF @ 25V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 10.3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Auf Lager 91 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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