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PHM15NQ20T,518

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PHM15NQ20T,518
Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 17.5A 8HVSON
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 85mOhm @ 15A, 10V
Verlustleistung (Max.) 62.5W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 8-HVSON (6x5)
Gate Charge (Qg) (Max.) 40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2170pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 17.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 50 pcs

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