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PDTC115EEF,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: PDTC115EEF,115
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 250MW SC89
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Cut Tape (CT)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 250mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-89, SOT-490
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Basis-Teilenummer PDTC115
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket SC-89
Widerstand - Emitter-Basis (R2) 100 kOhms
Vce Sättigung (Max.) 150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 20mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 80 @ 5mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 75 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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