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PDTA115TK,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: PDTA115TK,115
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 250mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Basis-Teilenummer PDTA115
Widerstand - Basis (R1) 100 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket SMT3; MPAK
Vce Sättigung (Max.) 150mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 1mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 80 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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