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PDTC114TS,126

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: PDTC114TS,126
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Box (TB)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 500mW
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Transistortyp NPN - Pre-Biased
Basis-Teilenummer PDTC114
Widerstand - Basis (R1) 10 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket TO-92-3
Vce Sättigung (Max.) 150mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 100mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 200 @ 1mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 75 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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