Image is for reference only , details as Specifications

PDTB123TK,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Datenblatt: PDTB123TK,115
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Serie -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Teilstatus Obsolete
Leistung - Max 250mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistortyp PNP - Pre-Biased
Basis-Teilenummer PDTB123
Widerstand - Basis (R1) 2.2 kOhms
Lieferanten-Gerätepaket SMT3; MPAK
Vce Sättigung (Max.) 300mV @ 2.5mA, 50mA
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 500mA
Strom - Collector Cutoff (Max) 500nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 100 @ 50mA, 5V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 50V

Auf Lager 51 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.00 $0.00 $0.00
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

PDTB123ES,126
NXP USA Inc.
$0
PDTB113ZS,126
NXP USA Inc.
$0
PDTB113ES,126
NXP USA Inc.
$0
PDTA323TK,115
NXP USA Inc.
$0
PDTA144WK,115
NXP USA Inc.
$0