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BUK9E1R9-40E,127

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: BUK9E1R9-40E,127
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V I2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Vgs(th) (Max) @ Id -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs -
Verlustleistung (Max.) -
Lieferanten-Gerätepaket I2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C -

Auf Lager 81 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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