BUK956R1-100E,127
Hersteller: | NXP USA Inc. |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | BUK956R1-100E,127 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | NXP USA Inc. |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | TrenchMOS™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Tube |
Vgs (Max.) | ±10V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 5.9mOhm @ 25A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 349W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | TO-220AB |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 133nC @ 5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 17460pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 120A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Auf Lager 52 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1