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BFU630F,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: BFU630F,115
Beschreibung: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 13dB ~ 22.5dB
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 200mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-343F
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer BFU630
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 21GHz
Lieferanten-Gerätepaket 4-DFP
Rauschfigur (dB-Typ f) 0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 30mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 90 @ 5mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 5.5V

Auf Lager 8641 pcs

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