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BFU660F,115

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt: BFU660F,115
Beschreibung: RF TRANS NPN 5.5V 21GHZ 4DFP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Gewinnen 12dB ~ 21dB
Serie -
Verpackung Digi-Reel®
Teilstatus Active
Leistung - Max 225mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SOT-343F
Transistortyp NPN
Basis-Teilenummer BFU660
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Frequenz - Übergang 21GHz
Lieferanten-Gerätepaket 4-DFP
Rauschfigur (dB-Typ f) 0.6dB ~ 1.2dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 60mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) 90 @ 10mA, 2V
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 5.5V

Auf Lager 6203 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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