Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
A2T18H455W23NR6
| Hersteller: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt: | A2T18H455W23NR6 |
| Beschreibung: | AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Gewinnen | 14.5dB |
| Serie | - |
| Frequenz | 1.805GHz ~ 1.88GHz |
| Teilstatus | Not For New Designs |
| Rauschbild | - |
| Aktuell - Test | 1.08A |
| Paket / Fall | OM-1230-4L2S |
| Leistung - Ausgang | 56dBm |
| Spannung - Test | 31.5V |
| Transistortyp | LDMOS |
| Spannung - Bewertet | 65V |
| Aktuelle Bewertung (Amps) | 10µA |
| Lieferanten-Gerätepaket | OM-1230-4L2S |
Auf Lager 99 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $138.74 | $135.97 | $133.25 |
Minimale: 1
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