Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
A2V09H525-04NR6
| Hersteller: | NXP USA Inc. |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Datenblatt: | A2V09H525-04NR6 |
| Beschreibung: | AIRFAST RF LDMOS WIDEBAND INTEGR |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
| Gewinnen | 18.9dB |
| Serie | - |
| Frequenz | 720MHz ~ 960MHz |
| Teilstatus | Active |
| Rauschbild | - |
| Aktuell - Test | 688mA |
| Paket / Fall | OM-1230-4L |
| Leistung - Ausgang | 120W |
| Spannung - Test | 48V |
| Transistortyp | LDMOS |
| Spannung - Bewertet | 105V |
| Aktuelle Bewertung (Amps) | 10µA |
| Lieferanten-Gerätepaket | OM-1230-4L |
Auf Lager 66 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $136.64 | $133.91 | $131.23 |
Minimale: 1
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