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2N7000,126

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: 2N7000,126
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300MA TO-92
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Box (TB)
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
Verlustleistung (Max.) 830mW (Ta)
Lieferanten-Gerätepaket TO-92-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 40pF @ 10V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 300mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

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