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PMN50XP,165

Hersteller: NXP USA Inc.
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: PMN50XP,165
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.8A 6TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NXP USA Inc.
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie TrenchMOS™
FET-Typ P-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±12V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall SC-74, SOT-457
Vgs(th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 60mOhm @ 2.8A, 4.5V
Verlustleistung (Max.) 2.2W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket 6-TSOP
Gate Charge (Qg) (Max.) 10nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1020pF @ 20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4.8A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V

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