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TPS1120DR

Hersteller: NA
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: TPS1120DR
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NA
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ 2 P-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 840mW
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Teilenummer TPS1120
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max.) 5.45nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. -
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 1.17A

Auf Lager 1863 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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