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ZXMC6A09DN8TA

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: ZXMC6A09DN8TA
Beschreibung: MOSFET N/P-CH 60V 8-SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Diodes Incorporated
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie -
FET-Typ N and P-Channel
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 1.8W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 45mOhm @ 8.2A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 24.2nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1407pF @ 40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 3.9A, 3.7A

Auf Lager 642 pcs

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