Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen
TPS1100DR
| Hersteller: | NA |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | TPS1100DR |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | NA |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | - |
| FET-Typ | P-Channel |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Vgs (Max.) | +2V, -15V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 180mOhm @ 1.5A, 10V |
| Verlustleistung (Max.) | 791mW (Ta) |
| Lieferanten-Gerätepaket | 8-SOIC |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 5.45nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 15V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 1.6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.7V, 10V |
Auf Lager 52 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.65 | $0.64 | $0.62 |
Minimale: 1
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