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TK2Q60D(Q)

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: TK2Q60D(Q)
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie π-MOSVII
FET-Typ N-Channel
Verpackung Bulk
Vgs (Max.) ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Active
Montagetyp Through Hole
Paket / Fall TO-251-3 Stub Leads, IPak
Vgs(th) (Max) @ Id 4.4V @ 1mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 4.3Ohm @ 1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 60W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PW-MOLD2
Gate Charge (Qg) (Max.) 7nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 280pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 87 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.65 $0.64 $0.62
Minimale: 1

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