CSD19506KTT
Hersteller: | NA |
---|---|
Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | CSD19506KTT |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 80V 200A DDPAK-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
---|---|
Hersteller | NA |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | NexFET™ |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Cut Tape (CT) |
Vgs (Max.) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 2.3mOhm @ 100A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 375W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | DDPAK/TO-263-3 |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 156nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 12200pF @ 40V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 200A (Ta) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Auf Lager 1068 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
---|---|---|---|
$5.13 | $5.03 | $4.93 |
Minimale: 1