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EPC8009
| Hersteller: | EPC |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | EPC8009 |
| Beschreibung: | GANFET TRANS 65V 2.7A BUMPED DIE |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | EPC |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | eGaN® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Verpackung | Digi-Reel® |
| Vgs (Max.) | +6V, -4V |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | 130mOhm @ 500mA, 5V |
| Verlustleistung (Max.) | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | Die |
| Gate Charge (Qg) (Max.) | 0.45nC @ 5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 65V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 52pF @ 32.5V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 2.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Auf Lager 951 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
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Minimale: 1
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