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SPB21N50C3ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: SPB21N50C3ATMA1
Beschreibung: MOSFET N-CH 560V 21A TO-263
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie CoolMOS™
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tape & Reel (TR)
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Not For New Designs
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 190mOhm @ 13.1A, 10V
Verlustleistung (Max.) 208W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO263-3-2
Gate Charge (Qg) (Max.) 95nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 560V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 2400pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 21A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 1000 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$2.00 $1.96 $1.92
Minimale: 1

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