STB23N80K5
Hersteller: | STMicroelectronics |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | STB23N80K5 |
Beschreibung: | MOSFET N-CH 800V 16A |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | STMicroelectronics |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | MDmesh™ K5 |
FET-Typ | N-Channel |
Verpackung | Digi-Reel® |
Vgs (Max.) | ±30V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Active |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Basis-Teilenummer | STB23N |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 280mOhm @ 8A, 10V |
Verlustleistung (Max.) | 190W (Tc) |
Lieferanten-Gerätepaket | D2PAK |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 33nC @ 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1000pF @ 100V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 16A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Auf Lager 1994 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1