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SKB02N120ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: SKB02N120ATMA1
Beschreibung: IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3-2
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT
Verpackung Tape & Reel (TR)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 11nC
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 62W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Testbedingung 800V, 2A, 91Ohm, 15V
Schalten der Energie 220µJ
TD (ein/aus) bei 25°C 23ns/260ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO263-3-2
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.6V @ 15V, 2A
Reverse Recovery Time (trr) 50ns
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 6.2A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 9.6A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 54 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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