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NGTD17T65F2WP

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: NGTD17T65F2WP
Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller ON Semiconductor
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ Trench Field Stop
Verpackung Bulk
Eingabetyp Standard
Teilstatus Active
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall Die
Testbedingung -
Schalten der Energie -
TD (ein/aus) bei 25°C -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket Die
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2V @ 15V, 40A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 160A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 650V

Auf Lager 98 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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