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SGB02N120ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: SGB02N120ATMA1
Beschreibung: IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ NPT
Verpackung Digi-Reel®
Eingabetyp Standard
Gate Charge 11nC
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Leistung - Max 62W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Testbedingung 800V, 2A, 91Ohm, 15V
Basis-Teilenummer *GB02N120
Schalten der Energie 220µJ
TD (ein/aus) bei 25°C 23ns/260ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO263-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 3.6V @ 15V, 2A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 6.2A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 9.6A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 61 pcs

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