Bild dient nur als Referenz , Siehe Produktspezifikationen

IGB03N120H2ATMA1

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Datenblatt: IGB03N120H2ATMA1
Beschreibung: IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - IGBTs - Single
Serie -
IGBT-Typ -
Verpackung Tape & Reel (TR)
Eingabetyp Standard
Gate Charge 22nC
Teilstatus Not For New Designs
Leistung - Max 62.5W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Testbedingung 800V, 3A, 82Ohm, 15V
Schalten der Energie 290µJ
TD (ein/aus) bei 25°C 9.2ns/281ns
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Lieferanten-Gerätepaket PG-TO263-3
Vce(on) (Max) - Vge, Ic 2.8V @ 15V, 3A
Strom - Kollektor (Ic) (Max) 9.6A
Strom - Collector Pulsed (Icm) 9.9A
Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) 1200V

Auf Lager 55 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
$0.97 $0.95 $0.93
Minimale: 1

Anforderungsangebot

Füllen Sie das untenstehende Formular aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.

Bargain Finds

IKD10N60RFAATMA1
Infineon Technologies
$0.96
IKD10N60RAATMA2
Infineon Technologies
$0.94
IRGR2B60KDTRRPBF
Infineon Technologies
$0.93
FGD3050G2
ON Semiconductor
$0.92
NGB8202ANTF4G
Littelfuse Inc.
$0.92