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IGB03N120H2ATMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - IGBTs - Single |
| Datenblatt: | IGB03N120H2ATMA1 |
| Beschreibung: | IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - IGBTs - Single |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Verpackung | Tape & Reel (TR) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 22nC |
| Teilstatus | Not For New Designs |
| Leistung - Max | 62.5W |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Testbedingung | 800V, 3A, 82Ohm, 15V |
| Schalten der Energie | 290µJ |
| TD (ein/aus) bei 25°C | 9.2ns/281ns |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-TO263-3 |
| Vce(on) (Max) - Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 3A |
| Strom - Kollektor (Ic) (Max) | 9.6A |
| Strom - Collector Pulsed (Icm) | 9.9A |
| Spannung - Kollektor Emitter Aufschlüsselung (Max) | 1200V |
Auf Lager 55 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.97 | $0.95 | $0.93 |
Minimale: 1
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