ISP06P008NSATMA1
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Datenblatt: | ISP06P008NSATMA1 |
Beschreibung: | MOSFET P-CH SOT223-3 |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Serie | OptiMOS™ |
FET-Typ | P-Channel |
Vgs (Max.) | - |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
FET-Funktion | - |
Teilstatus | Obsolete |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-261-3 |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Betriebstemperatur | - |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | - |
Verlustleistung (Max.) | - |
Lieferanten-Gerätepaket | PG-SOT223 |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Auf Lager 81 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1