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ISP13DP06NMSATMA1
| Hersteller: | Infineon Technologies |
|---|---|
| Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt: | ISP13DP06NMSATMA1 |
| Beschreibung: | MOSFET P-CH 60V SOT223-3 |
| RoHS-Status: | RoHS-konform |
| Attribut | Attributwert |
|---|---|
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
| Serie | OptiMOS™ |
| FET-Typ | P-Channel |
| Vgs (Max.) | - |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET-Funktion | - |
| Teilstatus | Active |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-261-3 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Rds On (Max) bei Id, Vgs | - |
| Verlustleistung (Max.) | - |
| Lieferanten-Gerätepaket | PG-SOT223 |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Auf Lager 97 pcs
| Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
|---|---|---|---|
| $0.00 | $0.00 | $0.00 |
Minimale: 1
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