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IRLS4030-7PPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRLS4030-7PPBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie HEXFET®
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±16V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 3.9mOhm @ 110A, 10V
Verlustleistung (Max.) 370W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK (7-Lead)
Gate Charge (Qg) (Max.) 140nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 11490pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 190A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V

Auf Lager 87 pcs

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