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IRFS5615PBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt: IRFS5615PBF
Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Serie -
FET-Typ N-Channel
Verpackung Tube
Vgs (Max.) ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
FET-Funktion -
Teilstatus Obsolete
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 42mOhm @ 21A, 10V
Verlustleistung (Max.) 144W (Tc)
Lieferanten-Gerätepaket D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max.) 40nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1750pF @ 50V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 33A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V

Auf Lager 86 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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