IRL6372TRPBF
Hersteller: | Infineon Technologies |
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Produktkategorie: | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Datenblatt: | IRL6372TRPBF |
Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC |
RoHS-Status: | RoHS-konform |
Attribut | Attributwert |
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Hersteller | Infineon Technologies |
Produktkategorie | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Serie | HEXFET® |
FET-Typ | 2 N-Channel (Dual) |
Verpackung | Digi-Reel® |
FET-Funktion | Logic Level Gate |
Teilstatus | Active |
Leistung - Max | 2W |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Basis-Teilenummer | IRL6372PBF |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.1V @ 10µA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Rds On (Max) bei Id, Vgs | 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V |
Lieferanten-Gerätepaket | 8-SO |
Gate Charge (Qg) (Max.) | 11nC @ 4.5V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max. | 1020pF @ 25V |
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 8.1A |
Auf Lager 4441 pcs
Refrence Preis ($) | 1 pcs | 100 pcs | 500 pcs |
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Minimale: 1