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IRL6372TRPBF

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: IRL6372TRPBF
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller Infineon Technologies
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie HEXFET®
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Logic Level Gate
Teilstatus Active
Leistung - Max 2W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Teilenummer IRL6372PBF
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SO
Gate Charge (Qg) (Max.) 11nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 1020pF @ 25V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 8.1A

Auf Lager 4441 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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