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CSD88539ND

Hersteller: NA
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt: CSD88539ND
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 15A 8SOIC
RoHS-Status: RoHS-konform
Attribut Attributwert
Hersteller NA
Produktkategorie Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Serie NexFET™
FET-Typ 2 N-Channel (Dual)
Verpackung Digi-Reel®
FET-Funktion Standard
Teilstatus Active
Leistung - Max 2.1W
Montagetyp Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Basis-Teilenummer CSD88539
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) bei Id, Vgs 28mOhm @ 5A, 10V
Lieferanten-Gerätepaket 8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max.) 9.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Eingangskapazität (Ciss) (Max. 741pF @ 30V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 15A

Auf Lager 4886 pcs

Refrence Preis ($) 1 pcs 100 pcs 500 pcs
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Minimale: 1

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